台积电前高管直言，再逼中国大陆的话，中国将重新定义半导体！

2025 年 4 月，台积电前研发副总经理、“浸润光刻之父” 林本坚在一场行业论坛上抛出惊人论断：“如果继续逼迫中国大陆，他们可能会像 DeepSeek 颠覆算力市场一样，用新材料、新架构重新定义半导体产业。” 这一言论如巨石投入深潭，激起全球半导体产业链的千层浪。在全球半导体产业格局加速重构的今天，中国正以超常规的战略定力和创新爆发力，在技术封锁与市场博弈中开辟出一条独特的突围路径。

美国对华半导体出口管制的层层加码，已成为中国半导体产业自主化进程的催化剂。2024 年 12 月，美国商务部更新出口管制规则，将 140 家中国半导体企业列入实体清单，限制 HBM 等关键材料的对华出口。与此同时，日本紧随其后，对光刻胶、高纯氟化氢等半导体材料实施出口管制，直接冲击中国 28nm 以下先进制程扩产。这些 “技术绞杀” 看似凶猛，却意外催生了中国半导体产业的 “逆向创新”。

以中芯国际为例，2024 年其营收突破 80 亿美元，同比增长 27%，14nm 制程良率稳定在 95% 以上，N+1 工艺进入风险量产阶段。在存储领域，长鑫存储发布 LPDDR5 内存芯片，实现 1766Mbps 速率，打破韩国企业垄断；长江存储的 128 层 3D NAND 闪存芯片已实现量产，技术水平与国际主流差距缩小至 1.5 代。更值得关注的是，中国在第三代半导体领域实现弯道超车 —— 英诺赛科建成全球首条 8 英寸硅基氮化镓产线，2024 年营收增长近四成，产品广泛应用于 AI 服务器和新能源汽车。

林本坚在论坛上特别强调，中国无需死磕 5nm、3nm 等传统先进制程，完全可以通过新材料和新架构实现技术跃迁。这一观点与中国半导体产业的实际行动高度契合。

在材料领域，中科院团队研发的氧化镓（Ga₂O₃）功率器件击穿电压突破 8000V，是碳化硅（SiC）器件的 3 倍，成本却降低 60%。这种超宽禁带半导体材料将彻底改变电力电子器件的设计逻辑。在架构创新方面，华为海思推出的麒麟 9000S 芯片采用 “Chiplet” 技术，通过异构集成将 7nm 芯片的性能提升至接近 5nm 水平，功耗降低 30%。这种 “分而治之” 的策略，正成为中国突破 EUV 光刻机封锁的关键路径。

AI 与半导体的深度融合，则为中国提供了另一个创新维度。百度 DeepSeek 团队研发的 “深度求索” 大模型，采用国产寒武纪思元 590 芯片构建算力集群，通过存算一体架构将能效比提升至英伟达 A100 的 2.3 倍。这种 “算法 - 芯片 - 架构” 协同创新的模式，正在重塑全球 AI 算力格局。

中国半导体产业的崛起，离不开政策与市场的双重引擎。2025 年 4 月，财政部、税务总局联合发布通知，将集成电路企业研发费用加计扣除比例提高至 200%，并对 28nm 以下先进制程企业实施 “十年免税” 政策。地方层面，张家港市对半导体领域 E 类人才提供最高 500 万元购房补贴，深圳设立 200 亿元半导体产业基金，重点扶持第三代半导体和先进封装项目。

市场需求的爆发则为技术落地提供了坚实土壤。2024 年，中国半导体市场规模达 1865 亿美元，占全球 30.1%，其中 AI 芯片、汽车电子、工业控制等领域增速超过 20%。在新能源汽车领域，比亚迪半导体的车规级 IGBT 芯片市占率突破 25%，宁德时代与华为联合研发的 “麒麟电池” 采用国产 MCU 芯片，成本降低 18%。这种 “应用反哺研发” 的闭环，正在加速中国半导体产业的生态化进程。

中国半导体的崛起正在动摇全球产业链的既有格局。2024 年，中国半导体设备采购额占全球 31%，北方华创的 12 英寸刻蚀机进入中芯国际产线，替代率达 35%。在封装测试领域，长电科技的 XDFOI™技术实现 2μm 线宽，良率超过 99.5%，成功打入苹果供应链。这种 “设备 - 材料 - 制造 - 封装” 全链条的突破，正在重构全球半导体价值分配体系。

国际半导体行业组织对此高度关注。全球半导体联盟（GSA）亚太区首席运营官姬力云指出：“中国已成为全球半导体创新的核心驱动力，2025 年其在成熟制程市场的份额将达 42%，这将深刻改变产业竞争规则。” 马来西亚半导体行业协会主席邝瑞强则表示，希望与中国共建联合研发中心，在 AI 芯片、汽车电子等领域实现技术互补。